隨著LED照明技術的發展，LED防爆燈已經走進了普通的照明市場。但是，LED防爆燈照明系統的發展在散熱問題上收到了很大的影響。例如：其一，為了增大單管的光通量，注入更大的電流密度，如下面所提，以致芯片產生更多的熱量，需要散熱。其二，封裝新結構，隨著LED光源功率的增大，需要多個功率LED芯片集合封裝在一起，如COB結構、模塊化燈具等，會產生更多的熱量，需要更有效的散熱結構及措施。

對于大功率LED防爆燈而言，散熱問題已經已經成為制約LED防爆燈發展的一個瓶頸問題。而半導體制冷技術具有體積小，無需添加制冷劑、結構簡單、無噪聲和穩定可靠等優點，隨著在半導體材料技術上的進步，和高熱點轉換材料的發現，利用半導體制冷技術來解決LED防爆燈照明系統的散熱問題，將具有很現實的意義。

一、LED熱量產生的原因及熱量對LED性能的影響：

LED 在正向電壓下，電子從電源獲得能量，在電場的驅動下，克服PN 結的電場，由N 區躍遷到P 區，這些電子與P 區的空穴發生復合。由于漂移到P 區的自由電子具有高于P 區價電子的能量，復合時電子回到低能量態，多余的能量以光子的形式放出。然而，釋放出的光子只有30%~40%轉化為光能，其余的60%~70%則以點振動的形式轉化為熱能。

由于LED是半導體發光器件，而半導體器件隨溫度的變化自身發生變化，從而其固有的特性會發生明顯的變化。對于LED結溫的升高會導致器件性能的變化和衰減。這種變化主要體現在以下三個方面：⑴減少LED的外量子效率；⑵縮短LED的壽命；⑶造成LED發出光的主波長發生偏移，從而導致光源的顏色發生偏移。大功率LED一般都用超過1W的電功率輸入，其產生的熱量很大，解決其散熱問題是當務之急。

二、為提高散熱水品所提出的幾點建議：

1.從LED芯片來說，要采取新結構、新工藝，提高LED芯片結溫的耐熱性，以及其他材料的耐熱性，使得對散熱條件要求降低。

2.降低LED器件的熱阻，采用封裝新結構、新工藝，選用導熱性、耐熱性較好的新材料，包含金屬之間粘合材料、熒光粉的混合膠等，使得熱阻≤10℃/W或更低。

3.降低升溫，盡量采用導熱性好的散熱材料，在設計上要求有較好的通風孔道，使余熱盡快散出去，要求升溫應小于30℃。